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PFC除害装置 PFC-300T
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ＣＶＤ半導体製造プロセスから排気されるＣ２Ｆ６やＣ３Ｆ８などのクリーニングガスとＳｉＨ４などのプロセスガスなどを分離一括して無害化処理します。
本機は、1台の装置内に二つの熱分解電気炉室を備え、別々の電気炉室で熱分解処理することができます
プロセスガスとクリーニングガスを別々の電気炉で熱分解処理するため、ＳｉＨ４は、800℃以下の理想的な温度で熱分解でき、親水性の高いシリカ粉が生成され水への分散が良好です。
混合一括処理の場合には、1200℃以上で処理することになり、ＳｉＨ４は、焼結を開始し閉塞などの諸問題を発生させます。
ＰＦＣ−３００Ｔタイプは、セパレーター「ＥＣＯ−ＴＲＡＰＰＥＲ」を内臓していますのでＳｉＨ４は「ＥＣＯ−ＴＲＡＰＰＥＲ」で粉化されて後段への負荷を軽減すると共に環境により優しいモデルです。
PFC
: Perfluorocompound
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PFC-Gas : 加水熱分解反応 |
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C2F6 + 1/2O2 → 2CO2 + 6HF
CF4 + 2H2O → CO2 + 4HF
NF3 + 1/4O2 + 3/2H2O → NO2 + 3HF
C3F8 + O2 + 4H2O → 3CO2 + 8HF |
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Process Gas : 酸化熱分解反応 |
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SiH4 + 2O2 → SiO2 + 2H2O |
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PFCガスを高効率で分解します |
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NF3 : 750℃でほぼ100％分解します
C3F8 : 1050℃でほぼ100％分解します
C2F6 : 1100℃でほぼ100％分解します
CVD工程においてCF4は、代替ガスへの移行が進められています。
本装置でＣＦ４を対象外としています。装置の耐久性などを考慮して温度スペックをMAX 1100℃に留めています。 |
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